[17-09-2002 18:26] 90-нм процесс Intel для коммуникационных чипов

На конференции National Fiber Optic Engineers Conference Intel объявила об интеграции технологии германий-кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов и 90-нм технологического процесса с low-k диэлектриками и возможностями RF CMOS для использования в будущих коммуникационных чипах. Эта технология, реализованная на 300-мм пластинах, может стать еще одним козырем Intel в игре на рынке коммуникационного оборудования. Intel пока нельзя назвать опытным игроком в этом секторе, особенно учитывая не слишком большой опыт использования германий-кремниевых элементов, но в компании полагают, что будущее именно за этими технологиями, так как они обеспечивают необходимый баланс между ценой, производительностью и функциональностью. Новый процесс, названный D1C, изначально предназначался для решения оптоэлектронных задач. Однако из-за некоторого застоя в оптоволоконной отрасли, возможно, что Intel акцентирует внимание на интеграции радиочастотных функций, в том числе, кстати, беспроводной и сотовой связи третьего поколения (3G). В этой области Intel придется конкурировать с IBM, захватившей большую часть рынка и немалым числом прочих компаний: Agere, Atmel, Conexant, Infineon, SiGe Semiconductor, National Semiconductor и даже AMI. Что до самого процесса D1C, то история его создания восходит к Giga Group, разрабатывавшей биполярные эквалайзеры и приобретенной Intel два года назад. Изначально для обработки потока с темпом 40 Гбит/с инженеры Giga Group использовали чисто кремниевые решения, однако впоследствии перешли на смешанную германий-кремниевую структуру и создали транзисторы, работающие на частотах в 100 ГГц. И то, как говорит представитель Intel, для скоростей в 40 Гбит/с чтобы иметь возможность избыточного кодирования и исправления ошибок, этой частоты недостаточно и перед разработчиками стоит задача достичь 120 ГГц. Чип, изготовленный по D1C, состоит из семи слоев. Самый верхний расположен на диэлектрической подложке с крайне малой проводимостью и на нем выполнены высокодобротные индуктивные элементы, определяющие ширину полосы частот высокочастотного сигнала. Применение диэлектрических слоев с низкой диэлектрической проницаемостью, обычно использовавшихся для увеличения плотности динамической памяти, в данном случае необходимо для уменьшения размеров активных и пассивных высокочастотных блоков. Источник: EE Times